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型号 PHB29N08T,118
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
PHB29N08T,118 PDF
代理商 PHB29N08T,118
产品目录绘图 PHB Series D2PAK
标准包装 800
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 27A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 14A，11V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 5V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 810pF @ 25V
功率 - 最大 88W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1507 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 568-2190-2
934057125118
PHB29N08T /T3
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